一种模拟掺杂涨落对亚100nm MOSFET器件阈值电压波动影响的新方法（微电子系）...

一种模拟掺杂涨落对亚100nmMOSFET器件阈值电压波动影响的新方法（微电子系）ANewMethodtoSimulateRandomDopantInducedThresholdVoltageFluctuationsinSub-100nmMOSFET摘要本文提出了一种基于ISE（IntegratedSystemsEngineering）8.0模拟掺杂涨落对亚100nmMOSFET阈值电压涨落影响的新方法。与以往的方法相比，本方法第一次实现了对沿垂直于沟道表面方向杂质非均匀分布的MOSFET器件阈值电压涨落的模拟，而且不仅考虑了离子数目的涨落，还考虑了离子在沟道中位置的涨落。所得到的结果也更接近...

转载于:https://www.cnblogs.com/kl2009/archive/2008/03/12/1547683.html

总结

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