光刻技术L1

1.学习目标

了解光刻的整体概念

● 概述光致抗蚀剂，包括正抗蚀剂和负抗蚀剂 photoresist光致抗蚀剂 就是光刻胶

● 回顾光刻步骤

● 回顾光刻技术，包括不同的设备

2.光刻蚀技术种类 Lithography types

1.光刻（SUSS MA6）

2.纳米压印光刻（EVG 520）

3.电子束光刻（Raith EBPG 5200）

1. Photo lithography (SUSS MA6)

2. Nanoimprint lithography (EVG 520)

3. Electron beam lithography (Raith EBPG 5200)

Photo-litho-graphy: Greek: light-stone-writing

Photolithography is an optical mean of transferring a designed pattern onto a wafer

Designs are usually done using a CAD tool

摄影石刻：希腊语：轻石书写

光刻是一种将设计图案转移到晶圆上的光学方法

设计通常使用CAD工具完成

例子：胶卷摄影 PCB板 CAD设计 lithograph掩膜

4.光刻晶体管

5.工艺流程

•使用CAD工具进行设备/电路设计

掩模制造

•光刻曝光系统（紫外线）

•感光膜（光刻胶）

•晶片和掩模的对准

•光刻胶的曝光

•开发模式

•曝光后处理（金属化、蚀刻），然后发射

•晶圆上的物理结构

• Device/circuit design using a CAD tool

• Mask manufacturing

• Lithography exposure system (UV light)

• Photosensitive film (photoresist)

• Alignment of wafer and mask

• Exposure of the photoresist

• Development of pattern

• Post exposure processing (metallization, etching) followed by liftoff

• Physical structure on the wafer

Process flow

1.surface preparation

Cleaning is carried out to remove typical

contaminants from the surface prior to resist coating,

these include:

• Dust from wafer scribing

• Dust from the atmosphere

• Particles

• Lint from wipes

• Photoresist residue from previous processing

在进行抗蚀涂层之前，进行清洁以去除表面的典型污染物，

这些措施包括：

•晶圆划片产生的灰尘

•大气中的灰尘

•粒子

•湿巾上的棉绒

•先前处理产生的光刻胶残留物

标准清洗流程

5 minute soak in acetone with ultrasonic agitation

5 minute soak in methanol with ultrasonic agitation

5 minute soak in isopropanol with ultrasonic agitation

30 seconds water rinse using de-ionised water

在丙酮中超声搅拌浸泡5分钟

用超声波搅拌在甲醇中浸泡5分钟

在超声波搅拌下，在异丙醇中浸泡5分钟

用去离子水冲洗30秒

硅片底漆

Adhesion promoters are used to assist resist coating

-Resist adhesion is affected by:

Moisture on the surface

•Type of primer

•Resist chemistry

•Surface smoothness

•Surface contamination

附着力促进剂用于辅助抗蚀涂层

-抗蚀剂附着力受以下因素影响：

表面水分

•底漆类型

•抗化学

•表面光滑度

•表面污染

aligner对准器 Diwater 去离子水

Illumination 照明

使用真空泵将晶片固定在卡盘上

分配覆盖晶圆表面2/3的抗蚀剂

通常通过缓慢旋转开始，以均匀分布抗蚀剂（500 rpm）

然后是更快的旋转（3000–5000 rpm）

速度决定厚度和均匀性

Wafer is held onto the chuck using vacuum pump

Dispense resist that covers 2/3 of the wafer surface area

Usually start by slow spin to distribute the resist evenly (500 rpm)

Followed by faster spin (3000 – 5000 rpm)

The speed determines thickness and uniformity

 

总结

以上是生活随笔为你收集整理的光刻技术L1的全部内容，希望文章能够帮你解决所遇到的问题。

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