multisim怎么设置晶体管rbe_multisim中三极管参数

Is=14.34f

反向饱和电流。

Xti=3

饱和电流的温度指数

Eg=1.11

硅的带隙能量

Vaf=74.03

正向欧拉电压

1

Bf=255.9

正向电流放大系数

Ne=1.307

B--E

极间的泄漏饱和发射系数

+

Ise=14.34f

B--E

极间的泄漏饱和电流

Ikf=.2847

正向

BET

A

大电流时的滑动拐点

Xtb=1.5

电流放大系数的温度系数

Br=6.092

理想反向电流放大系数

Nc=2

B--C

间的泄漏发射系数

Isc=0

Ikr=0

反向

BETA

(

R

)大电流时的滑动拐点

Rc=1

集电极电阻

+

Cjc=7.306p

B-E

结零偏压时的耗尽电容。

Mjc=.3416

B-C

结指数因子

Vjc=.75

B-C

结内建电势

Fc=.5

正向偏压时的耗尽电容系数

Cje=22.01p

B-E

结零偏压时的耗尽电容

Mje=.377

B

——

E

结指数因子

Vje=.75

B-E

结内建电势

+

Tr=46.91n

反向渡越时间

Tf=411.1p

正向渡越时间

Itf=.6

正向渡越时间随

VBE

变化的参数

Vtf=1.7

Xtf=3 Rb=10)

正向渡越时间随偏置变化的参数

1,

什么是欧拉电压

(early voltage)?

三极管的

Ic-Vbe

图、

MOS

管的

Id-Vgs

图中，曲线的反向延长线都会交于一点，此点被称为

early voltage

。

Early voltage

是一个重要参数

"Early voltage"

符号

VA

，

在三极管放大区中，

理想情况下

vce

的

变化是不会引起

ic

的变化的，

但实际上

vce

变化会引起

ic

的变化，

那么

ic-vce

就不是一条直

线，而是一条斜线，这也是导致了

β

值不是固定值，

ic-vce

曲线在放大区斜率的倒数，就是

我们在小信号分析中考虑到的

ro

，

理想情况下公式

:

ic=Is*exp(vbe/VT)

考虑到

VA

的修正公式：

ic=Is*exp(vbe/VT)*(1+vce/VA)

ro

是

vce

对

ic

的求导，即

ic-vce

在放大区的斜率的倒数，得到

ro

≈

VA/Ic

VA

越大，

ro

越大，

ic-vce

越接近理想水平线。

但反向延长线是否交于一点呢？是否有理论依据？

"We

observe

that

the

characteristic

curves,

though

still

straight

lines,

have

finite

slope.In

fact,

when extrapolated, the characteristic lines meet at a point on the negative vce axis, at vce=-VA. It

is called the Early voltage, after the scientist who first studied this phenomenon.

...

The linear dependence of

ic on vce CAN be accounted for by assuming that Is remains constant

and

including

the

factor

(1+vce/VA)

in

the

equation

for

ic

as

follows:

总结

以上是生活随笔为你收集整理的multisim怎么设置晶体管rbe_multisim中三极管参数的全部内容，希望文章能够帮你解决所遇到的问题。

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